CdSe-SiO_2光子晶体的垂直沉积及近红外变频特性

作者：于子龙; 陈福义; 介万奇; 阎晓红

来源：功能材料, 2008, (01): 20-22+25.

• 胶体晶体
• 光子带隙
• 垂直沉积
• CdSe colloidal crystal
• photonic band gap
• vertical deposition
• CdSe

在氧化铟锡玻璃上电化学合成了CdSe薄膜,采用垂直沉积法首次在CdSe薄膜上制备了SiO2胶体晶体,实现了CdSe表面介电常数的调节。扫描电镜观察表明,500nm微球在CdSe薄膜上呈面心立方密堆结构排列,在微米尺度上胶体晶体显示出一定的多晶序。与SiO2胶体晶体相比,CdSe-SiO2光子晶体的UV-vis-NIR透射谱只有一个较宽的光子带隙,带隙在近红外波段随入射角减小向短波方向移动。所得CdSe-SiO2光子晶体样品可作为地面目标针对红外卫星成像的伪装材料。

• 单位
  西北工业大学; 凝固技术国家重点实验室