0.13μm CMOS高精度过温保护电路的设计

作者：刘磊; 罗萍; 李航标

来源：微电子学, 2013, 43(03): 321-324.

DOI：10.3969/j.issn.1004-3365.2013.03.005

• 过温保护电路
• 热关断
• 稳定性 Over temperature protection circuit
• Thermal shutdown
• Stability

采用0.13μm CMOS工艺,设计了一款过温保护电路。芯片内部温度超过109℃时,产生过温保护信号,电路停止工作,从而起到保护作用。为了防止产生热振荡,采用滞回方式。设计实现了在109℃时关断,78℃时再次开启,有31℃滞迟。仿真结果显示,在电源电压波动或工艺参数变化时,过温保护电路的热关断及迟滞阈值点漂移最大误差仅为2℃,稳定性好。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学