射频溅射功率对非晶Zn-Sn-O薄膜性能的影响

作者：岳兰

来源：半导体光电, 2019, 40(05): 661-670.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2019.05.011

• ZTO薄膜
• 射频磁控溅射
• 溅射功率
• 电学性能
• 光学性能

使用射频磁控溅射法,基于不同溅射功率(58、79、116、148和171W)条件在玻璃基底上室温制备了Zn-Sn-O(ZTO)薄膜,并探讨了溅射功率对薄膜的结构、电学性能和光学性能的影响。结果表明,提高溅射功率有助于提升薄膜的沉积速率;XRD分析表明不同溅射功率条件下制备的ZTO薄膜均具备稳定的非晶结构;随着溅射功率的增加,薄膜的电阻率下降,光学吸收边"红移"(光学禁带宽度从3.77eV减小到3.62eV);整体来看,在58～148W溅射功率范围内制备的ZTO薄膜具备较好的可见光透明性,其在380～780nm可见光范围内的平均透过率均超过85%。

• 单位
  贵州民族大学