Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7栅绝缘层的SiO2修饰对ZnO-TFTs性能的影响

作者：叶伟^*; 崔立堃; 常红梅

来源：电子学报, 2019, 47(06): 1344-1351.

• SiO2薄膜
• 氧化锌薄膜晶体管
• 修饰层
• Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7薄膜
• 射频磁控溅射

具有高介电常数的栅绝缘层材料存在某种极化及耦合作用,使得ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应、大的电容耦合效应和低的载流子迁移率.为了解决这些问题,本文提出了一种使用SiO2修饰的Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7作为栅绝缘层的ZnO-TFTs结构,分析了SiO2修饰对栅绝缘层和ZnO-TFTs性能的影响.结果表明,使用SiO2修饰后,栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能得到显著提高,使得ZnO-TFTs在下一代显示领域中具有非常广泛的应用前景.栅绝缘层的漏电流密度从4.5×10-5A/cm2降低到7.7×10-7A/cm2,粗糙度从4.52nm降低到3.74nm,ZnO-TFTs的亚阈值摆幅从10V/dec降低到2.81V/dec,界面态密度从8×1013cm-2降低到9×1012cm-2,迁移率从0.001cm2/(V·s)升高到0.159cm2/(V·s).

• 单位
  陕西理工大学