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摘要
标准SJ/T 10630-1995《电子元器件制造防静电技术要求》规定并规范了静电放电敏感电子元器件在研制、生产检验中的静电防护技术要求。本文对标准SJ/T 10630中提及的MOS结构与半导体结的静电敏感原因进行了分析,并重点结合国际前沿的Al Ga N/Ga N异质结场效应晶体管的栅极肖特基接触电流电压特性,对标准SJ/T 10630进行了新的解读与分析,建议尽快修订标准SJ/T 10630,以适应越来越高的电子元器件静电敏感度。
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单位中国空间技术研究院; 北京东方计量测试研究所
