聚对苯撑苯并双(口恶)唑发光及其器件制备

作者：汪璟; 何志群; 唐蓉; 穆林平; 王俊玲; 庄启昕; 吴平平; 韩哲文; 李秀娟; 荆西平

来源：光电子.激光, 2009, 20(2): 156-159.

DOI：10.3321/j.issn:1005-0086.2009.02.004

• 聚对笨撑苯并双(口恶)唑(PBO)
• 光致发光
• 电致发光

采用光谱技术,研究了聚对苯撑苯并双(口恶)唑(PBO)溶液的光敏发光特性,并用相对法估算出溶液发光效率在50%范围.结合光谱技术、半导体电学和电化学等研究手段,具体研究了以PBO为发光层的单层电致发光器件,研究结果显示,电致发光与薄膜的光致发光有具有相同的发光中心,峰值位于510 nm左右.同时发现,由于存制备过程中不同处理条件使得不同厚度薄膜残留的掺杂物质浓度不同,从而引起薄膜的导电性的不同.使得器件的阈值场强随PBO厚度的减小而逐渐增加.

• 单位
  稀土材料化学及应用国家重点实验室; 北京大学; 华东理工大学; 北京交通大学