基于金锡双面共晶键合的外延层转移方法

作者：李国强; 李洁

来源：2017-09-27, 中国, CN201710891111.X.

本发明公开了基于金锡双面共晶键合的外延层转移方法。该方法包括以下步骤1：清洗处理外延层,制备第一粘附层、键合层；步骤2：在转移硅衬底上制备粘附层、阻挡层、键合层；步骤3：金锡双面共晶键合；步骤4：剥离生长衬底,得到转移后的外延层硅衬底材料。本发明提出了金锡双面共晶键合的结构,改善了键合效果；同时,表面Au层保护Sn不被氧化；Ti做阻挡层很好地阻止Sn的扩散,穿过阻挡层破坏键合结构。本发明中所述制备方法通过形成可靠的金锡合金,减小键合层空洞,提升了键合质量,避免了键合失效,实现了外延层到硅衬底的无损转移。有利于发挥理想的半导体特性,制备成大规模、功能齐全的微电子和光电子集成器件。

• 单位
  佛山市艾佛光通科技有限公司