PMMA-CsPbBr3薄膜的结构及光电特性

作者：原玮敏; 张倪; 武晨晓; 朱燕艳^*

来源：微纳电子技术, 2020, 57(04): 264-269.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2020.04.002

• CsPbBr3薄膜
• 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)
• 表面粗糙度
• 喷雾法
• 光电探测器

CsPbBr3是一种直接带隙宽禁带半导体,具有优异的光电性能。采用喷雾法制备了不同质量分数的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)-CsPbBr3薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了PMMA质量分数对PMMA-CsPbBr3薄膜表面形貌的影响,利用X射线衍射(XRD)对其结构进行了表征,同时还测量了材料的透射率并给出了光致发光(PL)图像,最后制成了PMMA-CsPbBr3/Au异质结型光电探测器,研究了它们的光电特性。结果表明:掺入PMMA可以显著改善PMMA-CsPbBr3薄膜表面形貌,随着加入PMMA的质量分数的增大,CsPbBr3薄膜的表面粗糙度明显下降,均方根粗糙度从311 nm降低到69.2 nm;同时PMMACsPbBr3薄膜是择优取向的;与纯CsPbBr3薄膜相比,PMMA-CsPbBr3薄膜的透射率明显增加。通过研究制备的PMMA-CsPbBr3/Au异质结型光电探测器的I-V特性,发现随着PMMA的加入,异质结器件的暗电流降低,同时其光电流密度和稳定性增加。

• 单位
  上海电力大学; 数理学院