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摘要
在集成电路X射线剂量增强效应研究的基础上,提出对典型器件开展硬X射线二次封装屏蔽加固技术研究。首先用Monte Carlo方法进行了模拟计算。结果表明,针对硬X射线选用高Z材料作二次封装材料可以达到较好的屏蔽效果。根据计算的结果,在北京同步辐射装置上,利用已经建立的存储器测试系统,对采用不同厚度封装材料的二次封装集成电路SRAM 62256作了屏蔽效应实验,证实了采用二次封装屏蔽加固技术方法后,电路抗X射线的总剂量失效阔值提高了一个量级。建立的屏蔽加固方法对提高器件抗辐射能力具有重要意义。
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单位中国科学院高能物理研究所; 西北核技术研究所; 骊山微电子公司
