一种新型的高维持电压可控硅

作者：尹沙楠; 李浩亮; 刘志伟; 刘俊杰; 仝壮

来源：微电子学, 2018, 48(06): 811-814.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.170584

• 静电放电
• 可控硅
• 高维持电压
• N型掺杂层

可控硅(SCR)作为静电放电(ESD)保护器件,因具有高的鲁棒性而被广泛应用,但其维持电压很低,容易导致闩锁问题。针对高压集成电路的ESD保护,提出了一种新颖的具有高维持电压的SCR结构(HHVSCR)。通过添加一个重掺杂的N型掺杂层(NIL),减小了SCR器件自身固有的正反馈效应,从而提高了SCR的维持电压。Sentaurus TCAD仿真结果表明,与传统的SCR相比,改进的HHVSCR无需增加额外的面积就可将维持电压从1.88V提高到11.9V,可应用于高压集成电路的ESD防护。

• 单位
  电子科技大学