本发明涉及一类含单卤代苯的共轭聚合物及其制备和应用。分子结构特征是以单卤代苯为共聚富电子单元,氟代苯并噻二唑为共聚缺电子单元。本发明所提供的聚合物的光学带隙为1.76-1.77eV,HOMO轨道介于-5.20~-5.50eV之间。可用于制作光电功能器件,包括在有机光伏器件和有机场效应晶体管。