低温退火对重掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用

作者：奚光平; 马向阳; 田达晰; 曾俞衡; 宫龙飞; 杨德仁

来源：Acta Physica Sinica, 2008, (11): 7108-7113.

• 重掺砷直拉硅片
• 氧沉淀形核
• 低温退火 heavily arsenic-doped CZ silicon
• oxygen precipitate nucleation
• low-temperature annealing

通过对比研究重掺砷直拉硅片和轻掺n型直拉硅片经过低温(450—800℃)和高温(1000℃)两步退火的氧沉淀行为,阐明了低温退火对重掺掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用.研究指出:重掺砷硅片在450℃和650℃退火时的氧沉淀形核比在800℃退火时更显著,这与轻掺硅片的情况截然相反;此外,与轻掺硅片相比,重掺砷硅片在450℃和650℃退火时氧沉淀的形核得到增强,而在800℃退火时氧沉淀的形核受到抑制.分析认为,重掺砷硅片在450℃和650℃退火时会形成砷-空位-氧(As-V-O)复合体,它们促进了氧沉淀的形核;而在800℃退火时As-V-O复合体不能稳定的存在而缺少氧沉淀形核的前驱体,并且重掺砷会导...

• 单位
  硅材料国家重点实验室; 浙江大学