一种非对称欠压锁定电路设计

作者：张媛^*; 汪西虎; 商世广; 董振斌

来源：电子元件与材料, 2022, 41(05): 539-544.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1578

• 欠压锁定
• 滞回电压
• 阈值电压
• 温度漂移
• 功耗

传统带隙基准结构的欠压锁定(UVLO)电路存在结构复杂、温漂特性差、功耗高等缺陷。为精准实现低温漂，提出了一种欠压锁定电路结构，该结构基于差分放大器的非对称性产生滞回电压，进而降低了阈值电压的温度敏感性，提高了阈值电压的精度。该欠压保护电路通过反馈控制法产生了上、下门限阈值电压，克服了单个阈值抗干扰能力差的缺点。电路基于0.18μm BCD工艺设计，仿真结果表明：当电源电压高于上门限阈值电压(VIH)2.2 V时，芯片系统正常工作；当电源电压低于下门限阈值电压2.01 V时，芯片系统被关断；在-55～+125℃温度范围内，该电路的滞回电压为0.19 V,VIH温漂为0.01 V,滞回电压温漂为0.07 V,且该欠压锁定电路的功耗在3 V电源下为9.54μW。

• 单位
  电子工程学院; 西安邮电大学