摘要
铋锑(Bi1-xSbx)合金在拓扑绝缘体的研究中具有重要的意义,Bi0.96Sb0.04单晶体的体电子具有类似狄拉克锥型的电子结构,具有特别的研究价值.通过对Bi0.96Sb0.04单晶体输运性质的测量发现其电阻率在温度高于120K呈现出类半导体材料的性质,而在低于120K呈现出类金属材料的性质.外加磁场后,其输运性质在低温和低场时观察到明显的弱反局域化特点.样品的磁电阻在高场下表现出了舒勃尼科夫-德哈斯(Shubnikov de Hass,SdH)振荡,且这一量子振荡在样品的霍尔电阻上表现得更加清晰,霍尔效应和量子振荡实验数据推算的载流子迁移率相互吻合.通过旋转被测样品在磁场中的角度,可以推测出输运过程主要由体电子承担,并得到费米面的大致形状近似为长短轴之比约为1.36∶1的椭球面.
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