高谐波抑制隔离-滤波集成磁性器件仿真设计

作者:尹久红*; 田珺宏; 闫欢; 韩晓川; 胡艺缤; 高春燕; 赵春美
来源:磁性材料及器件, 2021, 52(03): 30-34.
DOI:10.19594/j.cnki.09.19701.2021.03.006

摘要

针对5G通讯中磁性器件高二次谐波抑制的发展需求,通过对传统滤波器进行分析,结合HFSS电场软件对传统的阶梯阻抗谐振器(SIR)滤波器进行结构优化和仿真分析。在满足小尺寸要求的前提下实现了器件带内、带外优异的微波性能。通过与铁氧体隔离器进行集成优化,最终设计了一款带内频响特性好、带外抑制度高的集成磁性器件。器件实测性能指标满足项目技术要求:带内工作频率:f=24~27.5 GHz,带内回波损耗:≥20 dB,带内隔离度:≥20 dB,带外二次谐波抑制:≥35 dB。

  • 单位
    西南应用磁学研究所

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