为了研究在半导体上施加外磁场对太赫兹辐射的影响,基于drude-Lorentz模型对三种不同的半导体材料GaAs、InAs、InSb在不同的外磁场方向下太赫兹辐射功率的变化进行了研究。研究结果发现,外磁场对具有较小有效质量和较高电子迁移率的半导体材料的太赫兹辐射增强效应最明显。此外,太赫兹辐射最强时GaAs和InAs的最佳外磁场方向是沿y轴负方向,InSb的最佳外磁场方向是在与x轴及相反方向成40°夹角的x-z平面内。
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