高压大功率FRD用硅外延片厚度测量方法

作者：潘文宾; 黄宇程; 王银海; 杨帆

来源：电子与封装, 2019, 19(12): 46-50.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.1210

• 高速恢复二极管
• 硅外延
• 厚层
• FTIR
• 光谱变异

高压IGBT/FRD管(1200 V以上)用外延片外延厚度通常在100μm以上,远超常规外延材料,使用傅里叶红外光谱法(FTIR)测量时,往往光谱center burst出现变异,对测量结果计算造成误差。实验分析不同因素对光谱的影响,同时确认重掺衬底条件下光谱正向峰型稳定规律,重新定义取值峰,采用正向峰值计算方法避免产生测试误差,提高测试稳定性。