X波段功率器件外壳端口仿真与测试差异性研究

作者：颜汇锃; 施梦侨; 周昊; 陈寰贝

来源：电子技术应用, 2022, 48(04): 98-103.

DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.212360

• 探针测试
• X波段
• 大功率封装外壳
• 辐射损耗

基于探针测试方法进行X波段功率器件外壳端口的仿真与测试差异性研究。在使用仿真软件对其进行优化后,通过HTCC(高温共烧陶瓷)工艺线制备和生产，发现使用GSG探针对该端口进行测试后的插入损耗远远大于仿真结果。通过对照实验和仿真验证等实验方法，分析出插入损耗仿真与测试的差异来源于辐射损耗，导致信号在返回路径的信号完整性受到影响。对结构进行相应的优化后插入损耗大幅减小，证明辐射损耗是造成差距的原因，通过电磁屏蔽可以得到有效解决。该研究可以为大功率器件类封装外壳的设计、测试和使用提供借鉴意义。