一种具有界面等离激元效应的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池及其制备方法

作者：李国强; 余粤锋; 张志杰; 林静

来源：2020-06-09, 中国, CN202010516087.3.

本发明公开了一种具有界面等离激元效应的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池及其制备方法。该双结GaAs/Si肖特基结太阳电池由下至上依次为Au/Pt背电极、n掺杂Si基区、石墨烯层、银纳米颗粒阵列、n掺杂InGaP背反射层,n掺杂GaAs基区、石墨烯层以及Ag电极。本发明还公开了以上双结(Si/石墨烯)/(GaAs/石墨烯)肖特基结太阳电池的制备方法。本发明的双结(Si/石墨烯)/(GaAs/石墨烯)肖特基结太阳电池,不仅制备工艺简单,器件生产成本较低,而且对环境污染较少,具有广阔应用前景。

• 单位
  华南理工大学