SiC MOSFET驱动电路的设计

作者：李小娜; 李艳娜

来源：电子技术与软件工程, 2019, (08): 83.

• SiC MOSFET
• 驱动电路
• Boost升压电路

本文对SiCMOSFET的驱动电路进行了优化设计,并采用Boost主电路对该驱动电路进行验证。结果表明,SiCMOSFET具有较快的开关速度。相比SiMOSFET,工作频率为100kHz,上升时间由70ns减小到40ns,下降时间由100ns减小到10ns。