一种0.13 μm SOI CMOS 2.4/5.5 GHz双频段LNA

作者：凌园园; 卢煜旻

来源：微电子学, 2019, 49(01): 55-62.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.180111

• 低噪声放大器
• SOI　CMOS工艺
• 可重配置
• 共源共栅结构
• 射频开关

基于Tower Jazz 0.13μm SOI CMOS工艺,提出了一种应用于无线局域网的2.4/5.5GHz双频段低噪声放大器(LNA)。该双频段LNA基于带源极电感的共源共栅结构,在放大管栅极与共源共栅管漏极之间增加负反馈电容,以改善5.5GHz频段的阻抗匹配。工作频段的切换通过开关控制的电感电容匹配网络实现。SOI射频开关通过增加MOS管尺寸来减小导通时的插入损耗,并且保持较低的关断电容,使开关的引入对LNA性能的影响最小化。Cadence后仿真结果表明,在2.4GHz频段范围内,S21为10.3～10.7dB,NF为2.1～2.2dB,IIP3为5dBm;在5.5GHz频段范围内,S21为9.7～11.8dB,NF为2.4～2.9dB,IIP3为14dBm。

• 单位
  中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 中国科学院大学