基于AlN HTCC基板的宽带T/R组件设计

作者：王锋^*; 徐海林; 赵亮; 闵应存

来源：固体电子学研究与进展, 2020, 40(03): 186-190.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2020.03.006

• 相控阵雷达
• T/R组件
• 高温共烧陶瓷

介绍了一种基于AlN HTCC基板MCM工艺的宽带(2～12 GHz)T/R组件的原理及设计方法,该T/R组件在一块AlN HTCC微波多层基板上通过焊接、胶接等工艺安装了电阻、电容、ASIC、MMIC等器件,通过对电路布局设计、HTCC性能分析、关键互联电路仿真,得到的T/R组件的主要性能为:在10 GHz工作带宽内发射功率大于8 W,接收增益大于25 dB,噪声系数小于4 dB,重量小于40 g。

• 单位
  南京电子技术研究所