交流阻抗谱法研究高压下CdS的电学性质

作者：贺春元; 刘丙国; 杨中娟; 朱红玉; 高春晓

来源：河南师范大学学报(自然科学版), 2011, (06): 55-58.

DOI：10.16366/j.cnki.1000-2367.2011.06.048

• 金刚石对顶砧
• 交流阻抗谱
• 硫化镉
• 电阻 diamond anvil cell
• alternating current impedance spectroscopy
• CdS
• resistance

利用金刚石对顶砧(DAC)原位交流阻抗谱测量技术,研究了硫化镉(CdS)半导体粉末在高压下的电输运性质.结果表明,在高压条件下CdS中存在两个电传导过程,晶体内传导和晶界传导,而晶体内传导是其主要过程.通过选择合适的表象,获得了CdS的体电阻随压力的变化关系,反映了CdS在高压下的相变过程:在2.7GPa～3.6GPa范围内,体电阻骤降了两个数量级,这对应着CdS从纤锌矿到岩盐矿的结构相变;在8GPa和14GPa附近,体电阻出现局域最大值,这对应着CdS从∑v→Xc到Lv→Xc的能带变化.另外实验结果预测在21GPa附近CdS的能带结构可能再次发生改变.

• 单位
  吉林大学; 河南理工大学; 超硬材料国家重点实验室