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摘要
为防止输入端口的异常浪涌脉冲对接口保护电路的损坏，文章基于NPN型双极晶体管击穿后的高通流能力、可控硅SCR的正反馈特性以及N-LDMOS器件的正向高通流能力和反向体二极管特性分别设计了3种类型的浪涌保护电路，并集成在过压保护芯片中。根据过压保护芯片对浪涌指标的要求及3种保护器件的触发电压完成电路设计。浪涌测试结果表明，在同等面积下，采用N-LDMOS器件设计的保护电路与其它两种类型的保护电路相比，性能最优，其正向抗浪涌能力最高可达100V，反向抗浪涌能力最高可达285V，满足过压保护芯片设计目标，并已量产，因此，该保护电路具有较强的工程应用价值。
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单位电子工程学院; 西安邮电大学
