功率MOSFET隔离驱动电路设计分析

作者：赵敏; 张东来; 李铁才; 王子才

来源：电力电子技术, 2016, 50(02): 81-83.

DOI：10.3969/j.issn.1000-100X.2016.02.025

• 金属氧化物半导体场效应晶体管
• 隔离驱动
• 边沿触发

半导体开关管器件作为开关电源中的关键器件,其驱动电路的设计是电源领域的关键技术之一,普通大功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)由于器件结构不同,驱动要求和技术也不相同,小功率MOSFET的栅源极寄生电容一般为10100 pF,而大功率MOSFET的栅源极寄生电容则可达110 nF,因此需较大的动态驱动功率。目前,对于MOSFET隔离驱动方式主要有光电耦合隔离和磁耦合隔离,一般以磁隔离为主要应用方式,在传统的MOSFET磁隔离驱动电路中,若占空比出现突变,其隔离输出的低电平则会出现上扬现象,导致开关管出现误动作,严重可能导致MOSFET器件烧毁,给出载波隔离驱动方法和边沿触发隔离驱动方法,两种方法都能克服低电平的上扬问题,通过测试对比两种驱动方式的优缺点。

• 单位
  哈尔滨工业大学深圳研究生院; 哈尔滨工业大学; 深圳航天科技创新研究院