CdZnTe晶体生长中掺In量对晶体电学性能的影响

作者：袁铮; 桑文斌; 钱永彪; 刘洪涛; 闵嘉华; 滕建勇

来源：无机材料学报, 2008, (01): 195-198.

• 核探测器
• CdZnTe
• In掺杂
• 电学性能 nuclear detector
• In doping
• electrical properties

通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体,实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响,重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度及迁移率之间的关系.并对CdZnTe晶体中In掺杂的补偿机理进行了分析探讨.结果表明,当In掺杂量为5×10~(17)cm~(-3)时,得到了电阻率达1.89×10~(10)Ω·cm的高阻CdZnTe晶体.

• 单位
  材料科学与工程学院; 上海大学