科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
本发明涉及一种部分P型GaN帽层RESURF#GaN基肖特基势垒二极管,其特征在于,包括：衬底层,所述衬底层上的缓冲层,所述缓冲层上的沟道层,所述沟道层上的势垒层,所述势垒层两端的阴极和复合阳极,与所述复合阳极相连且位于所述势垒层上的部分P型GaN帽层,覆盖在所述势垒层、所述部分P型GaN帽层、所述复合阳极、所述阴极上的钝化层,其中,所述沟道层与所述势垒层形成异质结,所述P型GaN帽层与所述势垒层形成PN结,所述阴极为阴极欧姆接触,所述复合阳极包括阳极欧姆接触和阳极肖特基接触。本发明实施例引入部分P型GaN帽层,并采用复合阳极,制备出具有低正向开启电压、高反向击穿电压的GaN基肖特基势垒二极管。
- 单位
