运用第一性原理计算方法系统研究了二维单层β-GeS中取代掺杂不同3d过渡金属原子时体系磁性、能带结构和光学性质的变化.结果表明：相比于本征非磁性β-GeS,取代掺杂Ti～Cu导致β-GeS具有磁性，且磁矩呈现出先增加后减小的变化趋势；掺杂后体系能带结构发生明显变化，分别表现出金属，半金属和半导体性质，而且导带底的位置明显向Fermi能级方向移动.相比于本征体系，非本征体系的光学性质表明：其在一定波段范围内出现蓝移现象以及光响应强度发生变化，且掺杂前后体系均表现出高的各向异性.
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