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摘要
HINOC是中国自主可控的同轴电缆光纤混合接入技术,第三代HINOC技术的网络接入速率达到了10Gbps,这对HINOC MAC层的缓存管理技术提出了新的要求。为解决HINOC3.0 MAC层使用DDR带来的转发时延增加、DDR带宽利用率低等问题,本文提出了一种片内片外缓存单元联合管理方法,该方法将SRAM构建成三通道FIFO,将FIFO作为队列的片内缓冲区,给出了数据写入片内缓冲区和片外DDR的判断逻辑,并通过HINOC3.0 MAC层的自回环环境对该优化方法进行仿真验证。结果表明,本文提出的优化方法可以降低使用DDR带来的数据转发延迟,同时提高DDR的带宽利用率。
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