采用固相合成法成功制备了g-C3N4/Bi2O3复合光催化剂。利用场发射扫描电子显微镜和X射线衍射仪研究该复合材料的形貌和晶体结构。紫外可见漫反射结果表明,与g-C3N4和Bi2O3相比,g-C3N4/Bi2O3半导体的能带间隙变小,可以拓宽光谱响应范围,同时提高复合物中光生载流子的分离和迁移效率。复合材料的光催化降解反应速率常数比g-C3N4和Bi2O3分别提高了2. 1和3. 9倍,光生电子-空穴对的复合得到有效的抑制。
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