基于Ga2O3的场效应器件研究进展

作者：高灿灿; 马奎; 杨发顺^*

来源：电子技术应用, 2020, 46(05): 22-26.

DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.200009

• Ga2O3
• 宽禁带半导体
• 场效应晶体管

氧化镓(Ga2O3)作为第三代宽禁带半导体材料,由于其超宽带隙、高击穿场强以及高巴利加优值等优点,广泛应用于大功率器件等领域,已成为近几年来国内外科研人员研究的热点。主要介绍了Ga2O3材料的特性,总结了基于Ga2O3的场效应晶体管(FET)的研究进展,对Ga2O3功率器件的发展进行了思考归纳。

• 单位
  贵州大学