碳基纳电子的新进展

作者：赵正平

来源：微纳电子技术, 2020, 57(11): 857-864.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2020.11.001

• 碳基纳电子
• 碳纳米管(CNT)
• 石墨烯
• 场效应晶体管(FET)
• 射频电子学
• 柔性电子学
• 微波单片集成电路(MMIC)
• 太赫兹(THz)
• 逻辑电路

集成电路技术进入后摩尔时代后,自下而上发展的分子电子学碳基纳电子的技术突破引起人们的高度关注。目前碳基纳电子的发展基于一维的碳纳米管和二维的石墨烯两种碳基材料。介绍了碳纳米管电子学、射频碳纳米管场效应晶体管(RF CNFET)、射频石墨烯FET (RF GFET)、GFET微波单片集成电路(MMIC)和石墨烯纳带(GNR)基逻辑电路等的发展来由和最新进展;包括碳基半导体特有的材料和工艺关键技术突破,抑制缺陷的新电路设计方法,CNFET与互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的三维(3D)集成应用,晶圆规模的石墨烯外延材料制备,洁净石墨烯材料工艺,GFET混频器、放大器、THz探测器和弹道整流器等MMIC的设计与制备,石墨烯柔性电子学,石墨烯双极基逻辑电路的设计与制备,GNR制备以及GNR基逻辑电路的设计等。综述了碳基纳电子各方面的创新点和进步点,以及总体发展态势。

• 单位
  中国电子科技集团公司; 专用集成电路重点实验室