本发明公开了一种采用栅调制石墨烯/半导体肖特基结的光电探测器及制备方法,包括衬底,所述衬底上设置半导体层,半导体层上设置绝缘层,绝缘层及部分半导体层上设置石墨烯层,透明钝化层及压电栅极层设置在石墨烯层上,栅极顶部电极设置在压电栅极层上,第二金属电极与半导体层形成肖特基接触,第一金属电极与石墨烯层形成欧姆接触。本发明结构简单,可靠性高,制作工艺对核心结构的影响较小,可以调控器件光响应,制备出高响应度低暗电流的光电探测器。
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