为解决高热流密度功率裸芯片的散热问题，在功率模块腔体上设置了一种自闭环一体化微流道散热系统。将裸芯片共晶焊接到金刚石，再将金刚石共晶焊接到功率模块腔体，有效降低了裸芯片到功率模块腔体之间的传导热阻。通过实验和仿真探究了微流道形式和流道宽度对散热能力的影响。结果表明：相同条件下交联微流道散热性能较好，同时减小流道宽度，提高芯片温度性能。仿真结果与实验结果具有良好的一致性，最大误差为7.16%。提出的微系统具备较好的散热能力，在环境温度70℃下，可处理的芯片热流密度为320 W/cm2。
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