多功能磷化铟半导体材料的合成与表征

作者：高强; 毛彩霞^*; 薛丽; 吴涛^*; 胡永红

来源：华中师范大学学报(自然科学版), 2023, 57(02): 250-280.

DOI：10.19603/j.cnki.1000-1190.2023.02.009

• 纳米结构
• n型
• 立方结构
• 结构特性
• 电学特性

该文利用化学喷雾热解法，在773 K温度下，基于玻璃衬底沉积得到了磷化铟薄膜.进一步研究发现，磷化铟薄膜为立方相多晶，并且优先取向(111)方向，其直接带隙为1.50 eV.磷化铟薄膜呈现n型导电性，电阻率为5.18×103Ω·cm.因此，磷化铟薄膜材料在未来高频、大功率材料和光电子器件领域具有潜在应用.

• 单位
  湖北科技学院; 环境科学与工程学院; 咸宁职业技术学院