提出了一种模拟硅pn结光电池的新方法。基于电流型边界条件编程求解器件基本方程 ,获得符合实测条件的光电池短路电流。在此基础上 ,研究了衬底掺杂浓度对短路电流的影响。这一方法可用于作为探测器件的光电池的优化设计.
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