一种GaAs基P沟道增强型CMOS器件及其制备方法

作者：许晟瑞; 杨赫; 卢灏; 许钪; 刘旭; 徐爽; 张涛; 张进成; 郝跃

来源：2023-04-12, 中国, CN202310390161.5.

本发明公开了一种GaAs基P沟道增强型CMOS器件,包括：GaAs缓冲层叠加在衬底上；未掺杂GaAs层叠加在GaAs缓冲层上；未掺杂GaN层叠加在未掺杂GaAs层上位于隔离区的一侧；AlGaN势垒层叠加在未掺杂GaN层上；p-GaN层叠加在AlGaN势垒层的中间；第一源电极和第一漏电极分别位于p-GaN层的两侧；第一栅电极叠加在p-GaN层上；n-GaAs层位于隔离区的另一侧；n-GaAs层有两个P掺杂区；第二源电极和第二漏电极分别叠加在两个P掺杂区上；栅介质层位于两个P掺杂区之间且叠加在n-GaAs层上；第二栅电极,叠加在栅介质层之上。本发明极大地提升了载流子浓度,改善了器件性能。

• 单位
  西安电子科技大学