S波段6位高性能数字移相器

作者：张飞; 曹智慧; 叶坤; 于天新; 汤正波

来源：电子与封装, 2022, 22(12): 62-66.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.1211

• 数字移相器
• 砷化镓
• 移相精度
• 级联散射抑制

采用0.25μm砷化镓（GaAs）赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺，设计了一款2.3～3.8 GHz频段的低插入损耗、高精度、小尺寸且集成数字驱动器的6位数字移相器。移相器中的6个移相单元按45°/90°/5.625°/11.25°/180°/22.5°的顺序级联。为了改善移相精度和抑制级联散射，进一步优化了移相单元的电路设计。在2.3～3.8 GHz频率范围内，数字移相器的相位均方根误差最大值为4°，输入输出电压驻波比小于1.4，插入损耗小于4 d B，各状态的幅度波动小于0.8 d B，芯片尺寸为2.44 mm×1.52 mm。