厚层抗蚀剂曝光模型及其参数测量

作者：刘世杰; 杜惊雷; 段茜; 罗铂靓; 唐雄贵; 郭永康; 杜春雷

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2005, (05): 1065-1071.

• 厚层抗蚀剂
• 光刻
• 曝光
• 增强Dill模型
• 曝光参数 thick photoresist
• lithography
• exposure
• enhanced Dill model
• exposure parameters

针对厚层抗蚀剂曝光过程中存在诸非线性因素的影响,更新Dill曝光参数的定义,建立了适合描述厚层抗蚀剂曝光过程的增强Dill模型.光刻过程模拟的准确性与曝光参数的测量精度有很大关系,为此,建立了实时曝光监测实验装置,测量了不同工艺条件、不同厚度抗蚀剂的曝光透过率曲线,并演绎计算出曝光参数随抗蚀剂厚度和工艺条件的变化规律.最后给出了采用增强Dill模型进行曝光过程的模拟和实验结果的分析.

• 单位
  物理学院; 四川大学; 微细加工光学技术国家重点实验室; 陕西理工大学