介绍了用于碳化硅半导体材料辐照试验的装置和基本流程，分析了碳化硅半导体材料在辐照试验后的表征变化，包括离子注入量与原子平均离位损伤的关系，碳化硅表面形貌变化情况，碳化硅C-AFM测试结果分析。通过试验，对辐照剂量引起的碳化硅半导体材料的损伤机制有了基本了解。
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