摘要

声表面波滤波器(SAWF)工作频率在宽温度范围内高度稳定是电子系统频谱控制的关键。已成为当前SAWF发展的主要技术方向。该文提出了基于多层微结构压电材料的的SAWF温度补偿技术方案,实现了基于钽酸锂(LT)压电基片上的温度补偿SAWF设计、仿真,并获得了满意的实验结果。基于LT/Si复合片法实现的SAWF频率温度系数在全温范围(-55+85℃)内达到25×10-6/℃;基于SiO2/LT薄膜补偿法实现的SAWF频率温度系数在全温范围(-55+85℃)内小于10×10-6/℃。研制的温度补偿声表面波滤波器(TC-SAWF)达到要求,已在系统中得到应用。

  • 单位
    中国电子科技集团公司第二十六研究所