摘要

在LiNbO3 晶体中掺入In2 O3 和Er2 O3 ,利用提拉法生长了In :Er:LiNbO3 晶体 ,获得了In和Er在晶体中的分凝系数。通过测试晶体的吸收光谱和抗光损伤能力 ,确定In :Er :LiNbO3 晶体中In的掺杂阈值浓度为~ 3mol% ,In(3mol% ) :Er:LiNbO3 晶体的抗光损伤能力比Er:LiNbO3 提高 3个数量级以上。研究了In的掺入使Er:LiNbO3 晶体的吸收边移动和抗光损伤能力提高的机理

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