OTFTs结构与器件性能

作者：王伟; 石家纬; 姜文海; 郭树旭; 张宏梅; 马东阁; 全宝富

来源：功能材料与器件学报, 2007, (01): 82-85.

• 有机薄膜场效应晶体管
• 顶电极
• 底电极
• 迁移率 organic thin-film transistors
• top contact
• bottom contact
• mobility

在重掺杂的Si衬底上分别制备了底电极(Bottom-contact organic thin-film transistors,BC-OTFTs)和顶电极(Top-contact organic thin-film transistors,TC-OTFTs)有机薄膜场效应晶体管,探讨了源、漏电极位置对器件性能的影响。结果表明,顶电极可以形成良好的欧姆接触,其器件的迁移率和开关电流比均高出BC-OTFTs器件三个数量级。研究了栅绝缘层的薄膜厚度对器件的电性能的影响。结果表明,在相同电压下,薄的绝缘层增大了沟道区域的电场,可积累更多的电荷,以填充更多的陷阱,使器件的场效应迁移率和工作电流得到了明显...

• 单位
  中国科学院长春应用化学研究所; 吉林大学; 高分子物理与化学国家重点实验室