摘要
基于薄膜铌酸锂干法刻蚀工艺不能获得高垂直度截面的特点,设计了一种基于折射率相近的填充材料作为模斑转换结构。所设计结构可兼容不同尺寸的输出光斑且整体结构的转换效率大于-0.28 dB。所提方案避免了薄膜铌酸锂干法刻蚀后的大倾角断面直接作为耦合端面时性能低的劣势,可提升薄膜铌酸锂电光调制器件在片上集成激光芯片的性能。三维模拟结果显示该结构对工艺误差不敏感、加工可行性高,为减小集成器件体积、降低成本及高密度集成提供可行方案。
-
单位电子工程学院; 天津大学; 珠海光库科技股份有限公司