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摘要
纳米级材料具有更强的光电探测性能.本文将制备的酞菁铜纳米线涂层在叉指电极上，系统研究了酞菁铜纳米线的光电探测性能，发现其是一种具有高响应度的光电探测材料.使用扫描电子显微镜、X射线衍射、傅里叶变换红外光谱和紫外-可见光谱对酞菁铜纳米线的形貌和结构进行了表征.本文制备的酞菁铜纳米线的晶体结构为η相.通过光电性能测试，酞菁铜纳米线表现出比原料更优异的光响应.使用AM 1.5 G太阳模拟器作为光源(100 mW·cm-2)，在所有偏置电压下，酞菁铜纳米线都有明显的光响应，而酞菁铜原料的光暗电流极不稳定.在紫光 （395 nm）、蓝光（455 nm）、绿光（525 nm）、红光（850 nm）照射条件下，酞菁铜纳米线的光响应度远高于酞菁铜原料，是原料的 7.9412×103、7.3878×103、6.0015×103、4.5648×103倍.酞菁铜纳米线相比于原料更为优异的光电特性为其在光电探测器方面的深入研究提供了基础.
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单位化学化工学院; 昆明学院
