针对Nor-Flash高深宽比STI的ALD & SiCoNi新型复合填充工艺开发及优化

作者：倪立华; 周惟舜; 张守龙

来源：集成电路应用, 2018, 35(09): 34-40.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2018.09.008

• 集成电路制造
• 浅沟槽隔离填充
• 负载效应
• ALD
• SiCoNi
• 工艺优化

依据产品研发需求,解决传统STI填充工艺在Nor-Flash高深宽比STI填充中极易产生孔洞的问题。结合实验数据和理论分析,提出传统填充工艺的图形负载效应和微观负载效应,并首创ALD&SiCoNi新型复合填充工艺,实现高深宽比STI的无孔洞填充。在此基础上,完成工艺窗口的优化,帮助Nor-Flash产品良率逾越70%大关。