He2+注入六方SiC晶体损伤效应的拉曼光谱研究

作者：韩驿; 彭金鑫; 李炳生^*; 王志光; 魏孔芳; 刘会平; 张利民

来源：现代应用物理, 2018, 9(03): 47-52.

• 碳化硅
• 离子注入
• 拉曼光谱
• 损伤累积

利用拉曼光谱研究了He2+注入六方SiC晶体样品时的损伤缺陷随注量的变化关系,并采用直接碰撞/缺陷模拟模型与多级损伤累积模型,模拟了室温及723,873,1023K下晶体样品的无序度随注量的变化关系。测试结果表明:随着注量的增加,晶体样品无序度增大,样品的拉曼特征峰强度减小。

• 单位
  中国科学院近代物理研究所; 中国科学院大学; 兰州大学