采用Ga(In,As)P异变缓冲层的GaP/Si衬底上InAs量子阱（英文）

作者：黄卫国; 顾溢; 金宇航; 刘博文; 龚谦; 黄华; 王庶民; 马英杰; 张永刚

来源：红外与毫米波学报, 2022, 41(01): 253-261.

• 量子阱
• GaP/Si
• 异变缓冲层
• 中红外

本工作在GaP/Si衬底上基于In0.83Al0.17As异变缓冲层实现了InAs/In0.83Al0.17As量子阱的生长。研究了GaxIn1-xP和GaAsyP1-y递变缓冲层对量子阱结构材料性能的影响。采用GaxIn1-xP组分渐变缓冲层的样品X射线衍射倒易空间衍射峰展宽更小,表明样品中的失配位错更少。两个样品均在室温下实现了中红外波段的光致发光,而采用GaxIn1-xP组分渐变缓冲层的样品在不同温度下都具有更高的光致发光强度。这些结果表明在GaP/Si复合衬底上采用阳离子混合的渐变缓冲层对生长中红外InAs量子阱结构具有相对更优的效果。

• 单位
  中国科学院大学; 中国科学院上海技术物理研究所; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所