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摘要
制作了不同阳极尺寸和阴阳极间距900 V/10 A硅(Si)基AlGaN/GaN二极管,研究了不同阴阳极间距对二极管正向导通和反向关断特性的影响。不同规格的二极管其开启电压均为0.7 V@1 mA/mm,其中正向导通电流最大为13.8 A@1.5 V,反向击穿电压均为900 V@10μA/mm。同时设计制作了小尺寸AlGaN/GaN二极管,通过测试发现小尺寸二极管的比导通电阻要优于大尺寸二极管,主要原因为大尺寸二极管上的金属布线引入了一部分附加电阻。
- 单位
制作了不同阳极尺寸和阴阳极间距900 V/10 A硅(Si)基AlGaN/GaN二极管,研究了不同阴阳极间距对二极管正向导通和反向关断特性的影响。不同规格的二极管其开启电压均为0.7 V@1 mA/mm,其中正向导通电流最大为13.8 A@1.5 V,反向击穿电压均为900 V@10μA/mm。同时设计制作了小尺寸AlGaN/GaN二极管,通过测试发现小尺寸二极管的比导通电阻要优于大尺寸二极管,主要原因为大尺寸二极管上的金属布线引入了一部分附加电阻。
