HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析

作者：赵璐冰; 于彤军; 陆羽; 李俊; 杨志坚; 张国义

来源：半导体技术, 2008, S1: 164-166.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2008.s1.065

• 氢化物气相外延
• 厚膜
• 弯曲
• X射线 hydride vapor phase epitaxy(HVPE)
• GaN thick film
• curvature
• X-ray

异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析,HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品,X射线出射狭缝分别用1mm的标准狭缝和50μm的小狭缝测量,发现(0002)面摇摆曲线的半宽有明显变化。通过计算和比较,采用标准狭缝测得的(0002)面摇摆曲线的展宽是由弯曲和位错共同引起的,而弯曲表现得更为显著,小狭缝的展宽主要反应样品位错的信息。通过不同狭缝半宽的测量,得到了不同厚度GaN厚膜样品的曲率和位错密度。

• 单位
  北京大学; 人工微结构和介观物理国家重点实验室